Nano et microélectronique : évolution, état de l’art et perspectives des technologies CMOS, Beyond-CMOS et mémoires Présentiel
Dernière mise à jour : 04/02/2026
Unité de recherche
Description
- Evolution, limites et perspectives pour les composants nanoélectroniques, Roadmap internationale IRDS (International Roadmap for Devices and Systems)
- Physique de l'effet de champ, de la capacité MOS et du transistor MOS
- Propriétés électriques des composants MOS de petites géométries : transport de charges, effets de canaux courts et de diélectriques minces de grille, variabilité, fiabilité
- Principales méthodes de caractérisation des propriétés électriques des composants
- Propriétés électriques des dispositifs MOS innovants : diélectrique « high k », canaux à semiconducteurs contraints
- Propriétés spécifiques et intérêt des composants MOS Silicium-sur-isolant (SOI)
- Propriétés et performance des composants électroniques multi-grilles
- Dispositifs nanoélectroniques ultimes et Beyond-CMOS (Multi-canaux, Nanofils, Tunnel FETs, Negative capacitance FET, Nanotubes de carbone...)
- Evolution, limites et perspectives pour les mémoires DRAM, SRAM, non-volatiles
Dernière demi-journée consacrée à des discussions et échanges sur des cas proposés par les participants.
Objectifs de la formation
- Connaître les propriétés électriques et les performances des technologies nanoélectroniques
- Etre sensibilisé aux principaux défis et aux solutions les plus prometteuses pour différentes applications
- Mettre à jour ses connaissances sur les nouveaux matériaux et architectures des composants électroniques
Public visé
Ingénieurs et chercheurs des secteurs électronique et microélectronique.
Prérequis
Niveau équivalent à un master ou à un diplôme d'ingénieur en électronique.
Modalités pédagogiques
Cours interactifs et discussions, études de cas.
Moyens et supports pédagogiques
Des fichiers au format PDF seront mis à disposition du participant.
Modalités d'évaluation et de suivi
Un suivi individualisé par des évaluations formatives est assuré. Une attestation de fin de formation est délivrée à la fin du parcours.
Formateurs
BF
BALESTRA Francis
Responsable scientifique
Informations sur l'admission
L'admission à cette formation ne fait l'objet d'aucun examen, test ou sélection préalable ; l'inscription est validée après réception du dossier complet et confirmation par l'organisme de formation.
Modalités tarifaires spécifiques
Nos formations sont exonérées de TVA. Elles bénéficient de remises volumes : - 5% pour 3-4 inscrits, - 10% pour 5-6 inscrits, et - 20% à partir de 7 personnes. Une réduction de 20% est appliquée pour les agents salariés du CNRS.
Informations sur l'accessibilité
Notre organisme s'engage à garantir l'accessibilité de ses formations à distance et en présentiel aux personnes en situation de handicap. Un référent handicap est mobilisable afin d'analyser les besoins spécifiques et de mettre en place, lorsque cela est possible, les adaptations pédagogiques, techniques ou organisationnelles nécessaires.